RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3133
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link