RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3080
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link