RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2999
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link