RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3792
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link