RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3773
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link