RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3098
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link