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PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2714
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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