RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2154
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link