RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
47
Autour de 43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
47
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2074
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link