RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2229
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link