RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
8.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1999
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link