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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2537
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
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