RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2664
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link