RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
51
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2687
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link