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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2272
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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