RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2594
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link