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PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2120
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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