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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1806
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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