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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2183
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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