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PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
53
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
53
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2366
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
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