RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
80
Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
80
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
1775
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link