PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 80

Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.0 8.1

Среднее значение в тестах

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 80
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 14.7
Скорость записи, Гб/сек

10.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 1775

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM