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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
5.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
1740
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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