RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
5.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
38
Intorno -23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
31
Velocità di lettura, GB/s
16.7
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
1740
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link