RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
79
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
3098
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link