RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
79
Autour de -204% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
2437
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link