RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
79
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
2908
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link