RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
76
79
Autour de -4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
76
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
1260
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link