RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
106
Autour de -231% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
3592
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaison des RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link