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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
106
Autour de -147% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
43
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
3223
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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