RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
106
Autour de -116% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
49
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
2534
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaison des RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link