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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
68
106
Autour de -56% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,069.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
68
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
2007
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaison des RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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