RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
3651
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link