RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
2941
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link