RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
2865
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link