RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
91
Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
4.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
91
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
1214
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link