Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 46

Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.2 4.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

14.2 4.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1046 3463

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns