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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
4.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
4.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
4.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1046
3463
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