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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Razões a considerar
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
4.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
4.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
4.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
4.5
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1046
3463
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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