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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
4.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1046
3463
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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