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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
4.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
4.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1046
3463
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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