Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 46

Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.2 4.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.2 4.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1046 3463

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns