RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
50
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
50
Vitesse de lecture, GB/s
15.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2528
2512
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link