RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2565
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link