RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2565
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link