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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
INTENSO 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB vs INTENSO 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Note globale
INTENSO 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
INTENSO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
39
Autour de -8% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
INTENSO 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1966
2061
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
INTENSO 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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