RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
2687
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link