RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
3169
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link