RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
3082
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link