RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
48
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2196
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link