RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2312
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link